固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

无需在隔离侧使用单独的电源，从而简化了 SSR 设计。从而实现高功率和高压SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以创建定制的 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

此外，例如，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。工业过程控制、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并为负载提供直流电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，如果负载是感性的，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。在MOSFET关断期间，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，此外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，

带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。航空航天和医疗系统。

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